PS3专用图形处理器RSX专业技术分析报告


四:RSX和G70记忆体接口架构对比


  G70和RSX的另一个差别在于显存记忆体的带宽,为PC所设计的G70采用了256bit带宽的GDDR3记忆体,而RSX采用了128bit带宽的GDDR3记忆体,不过显存的容量相同均为256MB。

  目前RSX的记忆体控制器的架构图仍然只是处在猜测阶段;根据NV40/G70的架构,显存记忆体控制器分为4个分块,每个分块均连接到DRAM控制器,带宽均为64bit。同时有每个分块同时连接4个ROP(像素结果输出处理器)像素单元,此外分块之间也相互连接,因此总共具备16个ROP。这些ROP像素单元以每条2×2像素流水线为单位分为4组,在需要的情况下,这些ROP单元能实现alpha混合和附加的Z/Stencil功能,这让它可以每个时钟频率处理32个Z/Stencil运算,还完全支持Multiple Render Targets(多重着色目标)和加速的阴影着色能力。

  我们假定RSX和G70采用同样的设计,每个记忆体分块连接有4个ROP像素单元,而每个记忆体分块都连接到DRAM记忆体,并且被分配到32bit带宽;如果我们假设有8个ROP像素单元的话,那么就表明连接到DRAM控制器的部分拥有64bit带宽。

  最后要提到的是,此前Nvidia透露的资料显示PlayStation3游戏机,具备256MB XDR DRAM@3.2GHz的系统内存,以及256MB GDDR3@700MHz的显存。

五:RSX和G70的制造工艺对比

  前面也曾提到,RSX和G70采用了不同的制造工艺进行生产,G70采用了和NV4x相同的TSMC 0.11微米制造工艺,制造工艺相当成熟,内部集成3.02亿个晶体管,这是迄今为止显示芯片晶体管集成数目的世界纪录;而RSX采用Sony/Toshibia的0.09微米制造,内部集成了3.0亿晶体管。在显示核心面积上,0.11微米制程的G70面积为300平方mm,而90nm工艺的RSC面积仅为G70的70%左右,在200~250平方mm之间;而PS3的上一代PS2的显示核心采用0.25微米制程,面积为279平方mm。而随着芯片制造的进步,未来65nm和45nm制造工艺的芯片表面积降可以控制在100平方mm以内。

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